技术层面，干法刻蚀是目前主流，原子层刻蚀为未来方向刻蚀技术按工艺分类可分为湿法刻蚀和干法刻蚀，由于在刻蚀率、微粒损伤等方面具有较大的优势，干法刻蚀是目前主流技术。按被刻蚀材料特性不同，目前常用的方法可分为离子束刻蚀、等离子体刻蚀和反应离子刻蚀，其中电容性等离子体刻蚀(CCP)和电感性等离子体刻蚀(ICP)两种刻蚀设备基本覆盖目前主要的刻蚀应用。不过随着半导体制程的不断缩小，受光波长限制，关键尺寸无法满足要求，必须采用多重模板工艺，重复多次薄膜沉积和刻蚀工序以实现更小的线宽，使得薄膜沉积和刻蚀次数显著增加，10 纳米工艺和7 纳米工艺所需刻蚀步骤更是超过100 次。原子层刻蚀能够精密控制被去除材料量而不影响其他部分，能较好解决等离子刻蚀刻蚀速率差异与下层材料损伤等问题，未来有望发展为新一代主流刻蚀技术。

市场层面，刻蚀设备行业集中度高，发展空间广阔2021 年中国大陆以296 亿美元设备销售额连续第二年成为全球半导体设备最大市场，目前全球半导体设备市场主要被国外企业占据，2021 年全球前十五大半导体设备厂商排名中仅有ASM Pacific Technology 来自中国香港，排名第14 位。设备投资额方面，刻蚀设备在晶圆加工设备投资中占比22.14%，是半导体产业中“第一大设备”。目前全球刻蚀设备行业的龙头企业仍然为泛林半导体、东京电子和应用材料三家，2020 年三家企业合计市场份额占到了全球刻蚀设备市场的90%以上，其中泛林半导体独占44.7%的市场份额。根据SEMI 的预测，2022 年全球半导体设备市场规模将达到1140 亿美元，我们预计2022 年全球刻蚀设备规模将达到250.8 亿美元，国内刻蚀设备市场规模将达到75.24 亿美元。

未来看点：先进制程不断突破，国产替代未来可期2014 年9 月成立的大基金一期经过5 年投资布局目前已进入回收期，在大基金助力下，国内刻蚀设备企业已实现部分先进制程突破，涌现出一批技术领先的龙头企业。大基金二期成立于2019 年10 月22 日，注册资本为2041.5亿元，接力一期进行投资布局，我们预测，其重点可能倾斜设备和材料方向，将对包括光刻机、刻蚀机、薄膜设备、测试设备等领域企业提供进一步支持，帮助龙头企业巩固自身市场地位。预计将会带动万亿级别社会投资。从下游应用来看，目前我国5G 建设仍处于高速发展阶段，考虑到“双碳”政策下锂电、光伏需求长期向好，看好国内先进制程闭环供应加速建设，我们认为刻蚀设备具备较大投资价值。